二极管与三极管都是常用的电子元器件，二极管是一种具有两个电极的电子元件，并且只允许电流由单一方向流过，反向时阻断电流。三极管（BJT）是一种电流控制型半导体器件，由两个PN结组成，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。那么二极管、三极管参数有哪些？下面一起来了解下吧。
三极管的主要参数
①集-射最大反向电压（VCEO）：基极开路时，集-射极耐电压值，超过此值会击穿三极管。
②集电极工作电流（ICRM）:集电极允许长期工作的电流。
③集电极最大功率（PCM）：最大允许耗散功率，实际功率过大，三极管会烧坏。
④电流放大倍数（HFE）:共射电路集电极与基极电流的比值，β=IC/IB。
⑤特征频率（FT）：频率升高，β下降到1时对应的频率值。就是说在这个频率下工作的三极管，已失去放大能力，因此在选用三极管时，一般管子的特征频率品要比电路的工作频率至少高出3倍以上，但不是越高越好，如果选的太高，就会引起电路的振荡。
注：三极管饱和导通基极电流条件：Ib*β》Ic≈Vcc/Rc（电源电压除以集电极电阻）.
三极管参数与选用
三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征频率。三极管的参数是使用与选用三级管时的重要依据，为此了解三极管的参数可避免选用或使用不当而引起管子的损坏。
1、直流参数
集电极—基极反向电流I(CBO)。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流就称I(CBO)此值越小表明晶体管的热稳定性越好。一般小功率管约1OμA左右，硅管更小些。集电极一一发射极反向电流I(CBO)也称穿透电流。它是指基极开路时，在集电极与发射极之间加上规定的反向电压时，集电极的漏电流。此值越小越好。硅管一般较小，约在1μA以下。如果测试中发现此值较大，此管就不易使用。
2、极限参数
集电极最大允许电流I(CM)当三极管的β值下降到最大值的一半时，管子的集电极电流就称集电极最大允许电流。当管子的集电极电流Ic超过一定值时，将引起晶体管某些参数的变化，最明显的是β值下降。因此，实际应用时Ic要小于I(CM°)集电极最大允许耗散功率P(CM)当晶体管工作时，由于集电极要耗散一定的功率而使集电结发热，当温度过高时就会导致参数的变化，甚至烧毁晶体管。为此规定晶体管集电极温度升高到不至于将集电极烧毁所消耗的功率，就成为集电极最大耗散功率。使用时为提高P(CM)值，可给大功率管子加上散热片，散热片愈大其P(CM)值就提高得越多。集电极发射极反向击穿电压BU(CEO)当基极开路时，集电极与发射极之间允许加的最大电压。在实际应用时，加到集电极与发射极之间的电压，一定要小于BU(CEO)，否则将损坏三极管。
3、电流放大系数
直流放大系数β"或用h(FE)表示。它是指无交流信号时，共发射极电路，集电极输出直流I(B)与基极输入直流几的比值。即:β=I(c)/I(B)β是衡量三极管电流放大能力的一个重要参数，但对于同一个三极管来说，在不同的集电极电流下有不同的β.交流放大系数β也可用h(FE);表示。这个参数是指有交流信号输人时，在共发射极电路中，集电极电流的变化量△AIc与基极电流的变化量△I(B)的比值。即β=△Ic/△I(B)以上两个参数分别表明了三极管对直流电流的放大能力和对交流电流的放大能力。但由于这两个参数值近似相等，即β≈β，因此在实际使用时一般不再区分。由于生产工艺的原因，即使同一批生产的管子，其β值也是不一样的，为方便实用，厂家有时将尸值标记在三极管上，供使用者选用。
4、特征频率品
因为尸值随工作频率的升高而下降，频率越高，β下降的越严重。三极管的特征频率光是指尸值下降到1时的频率值。就是说在这个频率下工作的三极管，已失去放大能力，即f(T)是三极管使用中的极限频率，因此在选用三极管时，一般管子的特征频率品要比电路的1作频率至少高出3倍以上。但不是f(T)越高越好，如果选的太高，就会引起电路的振荡。
二极管的主要参数有哪些
同一种型号的二极管，它可能有几种封装（包括SOT23、DO-15、SOT-323等），所对应的参数也有区别。
一般数据手册上的参数，对应温度为25℃。温度对电子元器件的影响比较大。
Vr:表示反向电压，在二极管阴极和阳极加的最大电压，大于这个电压值，二极管可能被击穿。
IF（av）:平均整流电流，二极管加上正向电压后，二极管能通过的平均电流。
IF：二极管能通过的最大电流，加载到二极管的电流等于这个值，二极管能正常工作，二极管长时间工作在这个电流下，二极管会出现发热的现象。
IF（rm）：重复峰值电流，二极管在一周内，可以重复出现峰值电流，这个峰值电流比IF要大，出现峰值电流时间不能长，否则会烧毁二极管。
IF（sm）：不重复峰值电流，这个电流值非常大，在一个周期内，这个电流值不能重复，而且持续时间很短，有的二极管不重复电流是二极管IF电流的十几倍，持续时间一般为us级。
Ir：反向电流，二极管两级加上反向电压后，二极管并非完全截止，有很小的电流流过二极管，一般为nA、uA级。
Trr：二极管反向恢复时间，二极管正向导通到反向截止需要的时间。
P：二极管的功耗，二极管消耗的功率，当电流流过二极管，加上PN上的电压，就能产生功耗。
常用二极管的参数表：
1.PN硅二极管:
VF(正向电压):0.7V
VR(反向电压):50V-200V
IF(正向电流):10mA-100mA
IR(反向电流):0.1uA-1uA
2.NPN硅晶体管:
VBE(基极-发射极电压):0.7V-1.2V
VCE(源极-收集极电压):30V-60V
IC(收集电流):0.1mA-100mA
hFE(电流增益):50-300
3.PNP硅晶体管:
VBE(基极-发射极电压):0.7V-1.2V
VCE(源极-收集极电压):30V-60V
IC(收集电流):0.1mA-100mA
hFE(电流增益):50-300
4.JFET二极管
VGS(源极-门极电压):-30V to+30V
ID(电流):0.1mA to 100mA
VDS(源极-汇极电压):-30V to+30V
5.MOSFET二极管
VGS(源极-门极电压):-20V to+20V
ID(电流):0.1mA to 100mA
VDS(源极-汇极电压):-20V to+20V
这些参数表仅供参考，具体参数请参考生产厂家的数据手册。
