全球前三大DRAM厂三星、SK海力士、美光全力抢攻AI用高频宽记忆体（HBM）与新一代DDR5商机，无暇顾及DDR3、DDR4等成熟型产品，让以DDR3、DDR4为主力产品的华邦、南亚科乐翻天，预期将出现供不应求盛况，报价看涨之余，还将喜迎新一波转单与拉货潮。

业界看好，三大DRAM厂不会再扩充成熟型DRAM产能甚至将生产线升级改为生产高频宽记忆体与DDR5，将使得DDR3、DDR4供给大幅缩减，等于让出相关市场，南亚科、华邦可乘势扩大市占抢商机。

SK海力士25日即表态，今年将提高资本支出至7兆韩元，略多于去年的6兆韩元，将优先投入高频宽记忆体和其他策略性产品，并非DDR3、DDR4等成熟型产品，同时确保效率与限制市场干扰。

台湾记忆体业者对国际大厂猛攻高阶记忆体技术，逐步淡出成熟型产品乐观看待。华邦总经理陈沛铭认为，今年三大原厂产能配置不会放在DDR3与DDR4，估第2季到第3季，DDR3市场呈现供应平衡或略为供不应求，助攻价格走势，对以DDR3为主力产品的华邦有利。

南亚科方面，现阶段DDR3占比低于四成，DDR4占比则逾六成。南亚科目前部分产品正往DDR5移动，但留在DDR4的产品需求仍大，公司认为，三大记忆体厂朝DDR5发展趋势明确，使得DDR4供给减少，预期今年DDR4有可能出现供不应求。

南亚科指出，现阶段公司第一颗DDR5是16Gb产品，也正在设计第二颗DDR5 16Gb，第二颗DDR5会是高密度产品。


内存产业价格趋势

业内人士指出，现在的内存市场报价完全打破了过往的规则，没有固定的价格模式，只有在发货时才知道最新价格。在原厂出货量严格受控的涨价氛围中，最终产品价格势必上涨，只有终端需求复苏，才能支撑价格的持续上涨。

在这一轮内存价格下跌周期中，价格已累计下降了50%。随着原厂积极减产，控制供应量，现在的供需接近平衡，导致现货价格开始回升，合约价也随之上涨。预计到2024年第一季，DRAM和NAND的价格仍有18至23%的双位数涨幅。

随着第四季度客户库存去化接近尾声，加上传统旺季的拉货效应，内存产业的供需已接近平衡。产业界人士预测，未来市场走向将取决于两个关键因素：一是各大原厂产能恢复的速度，二是实际需求的回升。

业内人士观察到，内存产业的资本支出和供需比呈现负相关。当资本支出达到谷底，通常是内存供过于求的高峰。目前，内存大厂已限缩资本支出，预计本次下行周期即将结束。从2024年第二季开始，各厂有望进入获利改善、产能利用率提升的阶段。

美国市场研究公司Gartner预测，在内存需求强劲复苏的推动下，2024年将是半导体市场反弹之年，全球半导体营收预计年增17%。Gartner指出，由于供过于求和价格下跌，2023年全球内存营收预计将年减38.8%，但预计2024年将迎来强劲复苏，营收预计暴增66.3%。其中，2024年NAND型快闪内存营收预计增长49.6%，DRAM营收预计增长88%。Gartner还预测，2025年全球半导体营收将年增15.5%，达到7210亿美元。

世界半导体贸易统计协会（WSTS）的最新预测报告显示，由于生成式AI的普及和内存需求的大幅回升，预计2024年全球半导体销售额将达到5883.64亿美元，同比增长13.1%，超过2022年的5740.84亿美元，创下新的历史记录。

具体来看，WSTS预计2024年全球芯片销售额将达到4874.54亿美元，同比增长15.5%。其中，内存销售额预计从1203.26亿美元上调至1297.68亿美元，同比增长44.8%；逻辑芯片（包括CPU等产品）销售额预计从1852.66亿美元上调至1916.93亿美元，同比增长9.6%。

随着AI应用的扩散，服务器、机箱、散热等部件需求激增。内存模组作为的生成式AI重要应用，预计将率先受益。随着联发科和高通推出AI手机芯片，AI应用预计将进一步扩展到手机领域。预计明年不仅是AI服务器的大量出货年，还将是AI PC和AI手机的元年，很大可能出现一轮十年难得一见的换机潮。预计明年AI PC、AI手机等各类AI应用将更加普遍，推动上游原厂的产能配置和新增投资都集中在HBM和DDR5，为产业带来新一轮繁荣。

目前，各家DRAM大厂都在将产能转向DDR5，推动DDR4和DDR5加快进入黄金交叉点。预计到2024年第一季末，DDR5的出货量将超过DDR4。随着AI热潮逐步扩大到PC、手机等终端应用，上游原厂的产能配置和新增投资将集中在HBM和DDR5。

尽管DDR4目前处于亏损出货状态，且原厂还有不小的库存，但由于不再新增产能，预计2024年下半年可能出现短缺。内存大厂的供给产出转移，预计将为产业带来新一波利好，未来2至3年将是内存产业的黄金时光。

值得注意的是，过去DDR3是工控内存的主流，但2023年DDR4首次超过DDR3。预计DDR5将从2024年下半年开始进入工控应用。目前，工控应用中DDR3的比重达到20至30%，尽管内存大厂的产能供应逐步减少，但终端需求也在逐渐减少。近期DDR3价格也出现了小幅上涨。为了推动工控客户升级到入门级DDR4，一些内存大厂曾将DDR4的价格降至与DDR3同等水平，但主流PC应用规格已转向DDR5。尽管目前DDR3的库存仍然较大，但未来随着产能的转移，市场的竞争压力将逐步减轻。预计到2024年第一季，DDR3的合约价将可能回涨，甚至到第二、第三季可能出现供不应求的情况。


HBM和DDR5成为潜力增长市场

集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷表示，2023年全球存储市场出现下滑，三星、SK海力士、美光等大型存储芯片厂商必须通过减产才能消化现在行业当中的库存。2023年底比较去年年底，最健康的情况是去库存已经达到成效。三星今年对DRAM做了大幅度减产，特别是第四季度，产能利用率降到70%以下。

据悉，2023年第四季度DRAM与NAND Flash合约价格将开始全面上涨，DRAM合约价格季涨约3%到8%。

吴雅婷表示，2024年预计DRAM的产能利用率上半年偏低，随着均价的复苏还有市场状况的改善，下半年的时候会提高到13.2%，其中主要是DDR5和HBM产品的贡献。

从行业应用来看，2024年PC、服务器、手机、图形和消费电子对内存的需求占比不同，但是服务器对内存的需求占据市场14.8%，超越手机对内存市场需求，成为市场供应的主流，真正对均价会产生影响的，主要以服务器需求DRAM为主。

HBM即为高带宽存储器，是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，具有更高带宽、更多I/O数量、更低功耗、更小尺寸等优点。HBM已经存在十年，在DRAM的整体颓势之中，HBM却在逆市增长。2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，HBM3规格DRAM价格上涨5倍。

吴雅婷分析表示，目前高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，预计2023年全球HBM需求量将增近六成，达到2.9亿GB，占据DRAM整体营收的3%，但是2024年HBM供应量将会增长一倍，在整个DRAM营收中占比将达到9%。

DDR5在服务器和PC上的使用进程不如预期，DDR5的渗透率在DRAM占比不大。吴雅婷认为，HBM和DDR5明年可能都会争夺原厂的工艺制程，根据现在行业客户的需求，HBM3e将在2024年支持主要AI服务器需求，这也是AMD、亚马逊和微软向SK海力士获取HBM3e样本的原因。

终端产品出货量来看，服务器需求DRAM的量2024年比较2023年会增加2.3%。手机对DRAM需求，2024年比较2023年会增加2.9%。PC对DRAM需求量2024年比较2023年会增加2.1%。