NTMS4177P_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOP-8类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/12.0A参数4：RDON/10.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMS4177P P沟道MOSFET采用经济实用的SOP-8封装，专为高电流应用需求设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载12A的强大连续电流，且导通电阻仅为10mΩ，确保在高功率操作下仍维持高能效与低热耗损。广泛应用在电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等领域，以其卓越的电流承载力与良好的电气性能，为您的电路设计提供坚实支撑。
