ZXMN3A04DN8_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)封装:SOP-8类别:场效应管(MOSFET)最小包装:3000圆盘参数1:N+N沟道参数2:VDSS/30.0V参数3:ID/10.0A参数4:RDON/14.0mR标价:欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN3A04DN8 是一款高性能NN沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,适配于多样化的电路设计需求。器件具有30V的漏源电压(VDSS),可稳定承载10A的连续漏极电流(ID),且其14mΩ的低导通电阻(RD(on))助力系统实现卓越的能效与低损耗表现。广泛应用于电源管理、开关稳压器、电机驱动等行业,是提高系统性能的理想半导体器件选择。