SI4431CDY-T1-E3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

SI4431CDY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOP-8封装，专为紧凑型电路设计。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，能承载最大6A的连续漏极电流(ID)，并且具备低至28mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在开关应用中实现低损耗和高效能。广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护等领域，是优化系统性能的理想半导体元件选择。