DMN2029USD_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：SOP-8类别：场效应管(MOSFET)最小包装：3000圆盘参数1：N+N沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/8.0A参数4：RDON/13.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2029USD 型号MOS管采用NN沟道技术，封装于紧凑型SOP-8封装内，专为现代电子设备的高效能和小型化设计。在20V额定电压VDSS下，该器件可提供高达8A的连续漏极电流ID，并具备出色的13mR导通电阻RD(on)，确保了卓越的能源转换效率和低功耗性能。广泛应用于电源转换、负载开关等场合，是提升系统效能和节能效果的理想半导体元件。
