SIRA12DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN5X6-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/120.0A参数4：RDON/3.5mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIRA12DP-T1-GE3 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼顾小型化与高效散热性能，特别适合于高集成度电路设计。器件支持30V额定电压VDSS，提供高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其导通电阻仅为3.5mR，极大提升了能源转换效率，降低了系统损耗。
