CSD16321Q5_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN5X6-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/150.0A参数4：RDON/2.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD16321Q5 N沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装技术，体积精巧，性能强大。此器件承载电压高达30V，最大连续漏极电流可达150A，确保在高压大电流环境下稳定运行。其优异的导通电阻仅有2mΩ，有助于降低功耗、提升系统效能，特别适合应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合，是您实现高效节能电路设计的理想伙伴。
