SI7848BDP-T1-E3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN5X6-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/40.0V参数3：ID/60.0A参数4：RDON/6.9mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7848BDP-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用小型DFN5X6-8L封装，专为高效能、低损耗的电源转换和电机驱动应用设计。该器件具有40V的最大工作电压VDSS，能够处理高达60A的连续电流，且导通电阻低至6.9mR，确保在大电流运行时仍能保持卓越的能效表现。
