SIR836DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN5X6-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/40.0V参数3：ID/50.0A参数4：RDON/11.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIR836DP-T1-GE3 N沟道MOS管采用先进的DFN5X6-8L封装技术，具备出色的热性能和空间利用率。该器件可在40V电压VDSS下承载高达50A的连续漏极电流ID，专为高电流应用设计。其核心亮点在于极低的导通电阻RD(on)——11mΩ，有效减少功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，SIR836DP-T1-GE3 MOS管是寻求高性能、节能解决方案的理想半导体元件。
