FDMS6673BZ_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN5X6-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/70.0A参数4：RDON/6.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDMS6673BZ P沟道MOSFET采用先进DFN5X6-8L封装，融合了卓越散热与紧凑体积。该器件性能优越，具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可支持高达70A的连续工作电流，且导通电阻(RD(on))低至6mΩ，有效提升系统能效，降低损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等高电流场景，是追求高性能、节能应用的理想半导体器件选择。
