SI7139DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN5X6-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/70.0A参数4：RDON/6.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7139DP-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，不仅具有良好的散热性能，而且体型小巧便于集成。器件关键参数如下最高漏源电压(VDSS)为30V，能承受高达70A的连续电流，且拥有6mΩ的低导通电阻(RD(on))，确保了高效的功率转换与较低的能耗。广泛应用在电源转换、电机驱动等领域，是优化系统性能、达成节能目标的理想半导体组件。
