RS18N50F

RS18N50F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。