IRFP4568PBF

产品属性
类型描述

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
包装管件
产品状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)171A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.9 毫欧 @ 103A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）227 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）10470 pF @ 50 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）517W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247AC
封装/外壳TO-247-3
基本产品编号IRFP4568

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