专业SAMSUNG/三星内存 KM2F8001CM-B707 256 GB UFS2.1 48 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

新一代 DRAM 解决方案的一个主要设计改进包括将 PMIC 集成到内存模块中（前几代产品是将 PMIC 放在主板上），可提高兼容性和信号完整性，并提供更可靠、更持久的性能。 为了提高性能效率和负载瞬时响应，三星面向 DDR5 模块的新 PMIC 配备了高效混合动力门驱动程序和专有控制设计（异步双相降压控制方案）。 此方案允许直流电压从高到低，对输出负载电流的变化具有快速的瞬时响应，并相应地调整转换，以在接近恒定的水平上有效地调节其输出电压。控制方案还具有脉冲宽度和脉冲频率调制方法，防止切换模式时的延迟和故障。 “随着能效的提高和低输出波纹电压的提高，新款 PMIC S2FPD01、S2FPD02 和 S2FPC01 允许数据中心、企业服务器和 PC 应用程序充分利用其 DDR5 性能，完成高要求、高内存密集型任务。”三星电子公司系统大规模集成电路市场副总裁 Harry Cho 说。

当今的数据中心和企业服务器必须实时执行繁重的分析、机器和深度学习以及其他各种计算任务，三星的两款新 DDR5 DIMM PMIC 解决方案 S2FPD01 和 S2FPD02 为它们提供了优质性能。FPD01 专为低密度模块设计；FPD02 则用于更高密度模块。 此外，通过实施高效混合动力栅极驱动程序而非线性调节器，三星的新 PMIC 能够以高达 91% 的能效运行。 S2FPC01 是三星的另一款新 PMIC，专为台式机或笔记本电脑使用而定制。 PMIC 解决方案以 90 纳米 (nm) 工艺节点设计，在更小的封装中提供更灵活的性能。 三星的 DDR5 DIMM 电源管理 IC、S2FPD01、S2FPD02 和 S2sFPC01 目前正在进行客户采样。