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专业SAMSUNG/三星内存 KM3P6001CM-B517 64 GB eMMC 48 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

品牌:SAMSUNG/三星标价:电微13928429281

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产品介绍
KM3P6001CM-B517是一种多 芯片封装存储器,结合了64GB eMMC和48Gb(16Gb * 3)TDP LPDDR4X SDRAM.SAMSUNG eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。 eMMC操作与MMC设备相同,因此是使用行业标准MMC协议v5.1进行的简单读写操作。eMMC由 NAND闪存和MMC控制器组成。 NAND区域(VCC)需要3V电源电压,而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压(VCCQ)。 三星eMMC支持 HS400以提高顺序带宽,尤其是顺序读取性能。使用eMMC有很多优点。它易于使用,因为MMC接口允许与带有MMC主机的任何微处理器轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离,因此主机对NAND的任何修订或修正都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的上市时间。eMMC的嵌入式闪存管理软件或FTL(闪存过渡层)可管理损耗均衡,坏块管理和ECC。 FTL支持Samsung NAND闪存的所有功能,并实现最佳性能。

KM3P6001CM-B517原理框图:
2.jpg

特点:
1、eMMC
嵌入式MultiMediaCard版本。 5.1兼容。
SAMSUNG eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.1功能。
-主要支持的功能:HS400,现场固件更新,缓存,命令队列,增强的选通模式,安全写保护,分区类型。
-不支持的功能:大扇区大小(4KB)。
与以前的MultiMediaCard系统规范(1位数据总线,multi-eMMC系统)向后兼容。
数据总线宽度:1位(默认),4位和8位。
MMC I / F时钟频率:0〜200MHz; MMC I / F引导频率:0〜52MHz
电源:接口电源→VCCQ(1.70V〜1.95V),存储器电源→VCC(2.7V〜3.6V)

2、LPDDR4X SDRAM
•双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输
•双向数据选通(DQS_t,DQS_c),与数据一起发送/接收,用于在接收器处捕获数据
•差分时钟输入(CK_t和CK_c)
•差分数据选通(DQS_t和DQS_c)
•命令和地址输入正CK边沿;数据和数据掩码引用到DQS的两个边缘
•每个芯片2通道组成
•每个渠道8个内部银行
•DMI引脚:正常的读写操作时为DBI(数据总线反转),DBI关闭时为掩蔽写入的数据掩码(DM); DBI开启时为掩蔽写入计数DQ 1的数量
•突发长度:16、32(OTF)
•突发类型:顺序
•读写延迟:请参阅表65 LPDDR4X AC时序表
•每个突发访问都有自动预充电选项
•可配置的驱动强度
•刷新和自我刷新模式
•部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
•写作练级
•CA校准
•内部VREF和VREF培训
•基于 FIFO的读/写训练
•MPC(多用途命令)
•LVSTLE(低电压摆幅端接逻辑扩展)IO
•VDD1 / VDD2 / VDDQ:1.8V / 1.1V / 0.6V
•VSSQ端接
•没有DLL:CK至DQS不同步
•边缘对齐的数据输出,数据输入中心对齐的写训练刷新率:3.9us

引脚配置:
1.jpg


企业联系方式
  • 深圳市增正科技有限公司
  • 会员等级:理事
  • 联 系 人:曾先生
  • 联系电话:13928429281
  • 联系地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
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