专业SAMSUNG/三星内存 KM3P6001CM-B517 64 GB eMMC 48 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

KM3P6001CM-B517是一种多 芯片封装存储器，结合了64GB eMMC和48Gb（16Gb * 3）TDP LPDDR4X SDRAM.SAMSUNG eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。 eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用行业标准MMC协议v5.1进行的简单读写操作。eMMC由 NAND闪存和MMC控制器组成。 NAND区域（VCC）需要3V电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VCCQ）。 三星eMMC支持 HS400以提高顺序带宽，尤其是顺序读取性能。使用eMMC有很多优点。它易于使用，因为MMC接口允许与带有MMC主机的任何微处理器轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离，因此主机对NAND的任何修订或修正都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的上市时间。eMMC的嵌入式闪存管理软件或FTL（闪存过渡层）可管理损耗均衡，坏块管理和ECC。 FTL支持Samsung NAND闪存的所有功能，并实现最佳性能。

KM3P6001CM-B517原理框图：


特点：
1、eMMC
嵌入式MultiMediaCard版本。 5.1兼容。
SAMSUNG eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.1功能。
-主要支持的功能：HS400，现场固件更新，缓存，命令队列，增强的选通模式，安全写保护，分区类型。
-不支持的功能：大扇区大小（4KB）。
与以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，multi-eMMC系统）向后兼容。
数据总线宽度：1位（默认），4位和8位。
MMC I / F时钟频率：0〜200MHz; MMC I / F引导频率：0〜52MHz
电源：接口电源→VCCQ（1.70V〜1.95V），存储器电源→VCC（2.7V〜3.6V）

2、LPDDR4X SDRAM
•双数据速率架构；每个时钟周期两次数据传输
•双向数据选通（DQS_t，DQS_c），与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
•差分时钟输入（CK_t和CK_c）
•差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
•命令和地址输入正CK边沿；数据和数据掩码引用到DQS的两个边缘
•每个芯片2通道组成
•每个渠道8个内部银行
•DMI引脚：正常的读写操作时为DBI（数据总线反转），DBI关闭时为掩蔽写入的数据掩码（DM）； DBI开启时为掩蔽写入计数DQ 1的数量
•突发长度：16、32（OTF）
•突发类型：顺序
•读写延迟：请参阅表65 LPDDR4X AC时序表
•每个突发访问都有自动预充电选项
•可配置的驱动强度
•刷新和自我刷新模式
•部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
•写作练级
•CA校准
•内部VREF和VREF培训
•基于 FIFO的读/写训练
•MPC（多用途命令）
•LVSTLE（低电压摆幅端接逻辑扩展）IO
•VDD1 / VDD2 / VDDQ：1.8V / 1.1V / 0.6V
•VSSQ端接
•没有DLL：CK至DQS不同步
•边缘对齐的数据输出，数据输入中心对齐的写训练刷新率：3.9us

引脚配置：