原装BSS123LT1G 5G及无线设备、消费电子及可穿戴设备、计算和数据存储、工业
品牌：ON标价：查价格下单www.jbchip.com
分享到
产品介绍
|
产品状态
|
在售
|
|
|
FET 类型
|
|
|
|
技术
|
|
|
|
漏源电压（Vdss）
|
100 V
|
|
|
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
|
|
|
|
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
|
10V
|
|
|
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
|
6 欧姆 @ 100mA，10V
|
|
|
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
|
2.6V @ 1mA
|
|
|
Vgs（最大值）
|
±20V
|
|
|
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
|
20 pF @ 25 V
|
|
|
FET 功能
|
-
|
|
|
功率耗散（最大值）
|
225mW（Ta）
|
|
|
工作温度
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
|
安装类型
|
表面贴装型
|
|
|
供应商器件封装
|
SOT-23-3（TO-236）
|
|
|
封装/外壳
|
|
|
|
基本产品编号
|
