DB307S_DBS_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DBS类别：整流桥最小包装：1500圆盘参数1：正向压降(Vf): 1.1V@2A参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV参数3：平均整流电流(Io): 3A参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 60A标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款DBS封装的整流桥器件，专为高效能电源转换应用设计。具有高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定可靠工作。其特点在于2A电流下正向压降VF低至1.1V，有效降低功耗并提升系统效率。此外，器件提供3A的最大连续输出电流（IO），适用于中等电流需求场景。该整流桥凭借出色的性能与小型化封装设计，成为各类电路设计的理想选择，尤其适合需要处理高电压且空间受限的应用环境。
