ESD11D5.0C-HXY_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN0603-2L类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD)最小包装：15000圆盘参数1：Bi双向参数2：电压VRWM/5.0V参数3：电流IPP/8.0A参数4：电容Cj/15.0pF标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款DFN0603-2L封装双向ESD静电防护二极管，专为单通道应用设计。具有5V的高耐压VRWM特性，可有效防止过电压损害。器件提供高达8A的峰值脉冲电流IPP能力，并拥有低至15pF的结电容CJ，确保在高效抑制ESD的同时，维持高速信号线路的优异传输质量，是小型化、高性能接口的理想防静电保护组件。
