ESD8D3.3C-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN1006-2L类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD)最小包装：10000圆盘参数1：Bi双向参数2：电压VRWM/3.3V参数3：电流IPP/9.0A参数4：电容Cj/15.0pF标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管专为3.3V系统设计，提供单通道高效防护。器件能在瞬态条件下承受9A峰值脉冲电流IPP，有效防止双向静电放电对电路的影响。其结电容低至15pF，确保在高速数据接口应用中保持出色的信号完整性，是现代便携式与高集成电子设备的理想ESD保护选择。
