PESDNC2FD7VB_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN1006-2L类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD)最小包装：10000圆盘参数1：Bi双向参数2：电压VRWM/7.0V参数3：电流IPP/9.0A参数4：电容Cj/8.0pF标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为7V系统设计，提供单通道高效保护。器件拥有9A峰值脉冲电流IPP能力，可有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电子设备不受静电损伤。其8pF低结电容特性尤其适合高速数据接口应用，兼顾卓越的信号完整性和高强度ESD防护性能。
