DMN26D0UFB4-7-HXY_DFN1006-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN1006-3L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：10000圆盘参数1：N沟道参数2：电压VDS/20V参数3：电流ID/0.7A参数4：内阻R/350mR标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用超微型DFN1006-3L封装，额定电压20V，最大连续电流0.7A。专为低功耗、紧凑型电路设计，适用于小型电源转换、信号切换及电池保护应用，提供卓越的能效和空间利用率。
