GBU410_GBU_整流桥_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：GBU类别：整流桥最小包装：500盒参数1：正向压降(Vf): 1.1V@4A参数2：直流反向耐压(Vr): 1kV参数3：平均整流电流(Io): 4A参数4：正向浪涌电流(Ifsm): 150A标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 本款高性能整流桥采用GBU封装，专为高效稳定转换设计。具有1000V的高反向电压额定值（VR），在4A电流下正向压降仅为1.1V（VF），有效降低功耗，提升系统效率。其强大而稳定的电流处理能力可达4A（IO），确保设备运行安全可靠。适用于各类高电压、大电流应用场合，是您电路设计的理想选择。
