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第四代半导体再突破,我国团队在 8 英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
我国成功制备6英寸氧化镓单晶,第四代半导体正式“撒网”
第四代半导体虽潜力股众多,但氧化镓却是“天赋型”选手,将与碳化硅同争辉
力积电第四代半导体取得突破
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