SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B03Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

价格：电微咨询13928429281

SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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SAMSUNG/三星KLMBG2JETD-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

价格：电微咨询13928429281

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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专业SAMSUNG/三星内存 KM5P8001DM-B424 64 GB UFS2.1 32 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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专业SAMSUNG/三星内存 KM8F8001JA-B813 256 GB UFS2.1 64 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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专业SAMSUNG/三星内存 KM8F8001JM-B813 256 GB UFS2.1 64 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

价格：电微13928429281

专业SAMSUNG/三星内存 KM8F8001LM-B813 256 GB UFS2.1 80 Gb LPDDR4X 254FBGA 4266Mbps

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三星M393A1K43DB1-CVF带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块8GB 1R x 8 2933 Mbps 1.2 V 288FBGA

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三星M393A1K43DB1-CWE带存储器的双列直插式存储模块8GB 1R x 8 3200Mbps 1.2 V 288FBGA

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三星M393A2K40DB2-CTD带存储器的双列直插式存储模块16GB 1R x 4 2666 Mbps 1.2 V 288FBGA

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