热搜：
深圳市增正科技有限公司
会员等级：理事
联系人：曾生
联系电话：13928429281
联系地址：深圳市福田区华强北街道华富路1006号航都大厦13E
SAMSUNG/三星内存芯片K4UCE3Q4AA-MGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装
价格：电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4U8E3S4AD-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH5H50AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH6H60BM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3UH7H70AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4U2E3S4AA-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装
