热搜:
深圳市增正科技有限公司
会员等级:理事
联系人:曾生
联系电话:13928429281
联系地址:深圳市福田区华强北街道华富路1006号航都大厦13E
SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AM-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装
价格:电微13928429281
SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4UBE3D4AM-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4UHE3D4AA-GFCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4UHE3D4AA-GHCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K4UHE3D4AA-GUCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3LK2K20BM-BGCN 低功耗双倍数据率同步动态 速率5500Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.5V 温度-25~+85 LPDDR5 496FBGA 封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3KL3L30CM-BGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 496FBGA封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3KL3L30CM-JGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 441FBGA封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3KL3L30CM-MGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量32Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 315FBGA封装
SAMSUNG/三星内存芯片K3KL4L40DM-BGCT 优质低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量96Gb 速率7500Mbps 温度-25~+85 496FBGA封装