三星KLMCG2KCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

价格：电微咨询13928429281

三星KLMCG2UCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLMDG4UCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。128GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLMEG8UCTA-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。256GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLM8G1GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLM8G1GESD-B03Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLM8G1GESD-B04P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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专业SAMSUNG/三星内存 KMAS9001PM-BC02 256 GB UFS3.1 64 Gb LPDDR5 297FBGA 6400Mbps

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M474A4G43AB1-CWE带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块32GB 2R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 260FBGA

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M378A1G44AB0-CWE无缓冲双列直插式存储模块 延迟值更小 8GB 1R x 16 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 288FBGA

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M378A2G43AB3-CWE无缓冲双列直插式存储模块 寄存器：延迟值更小16GB 1R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 288FBGA

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M378A4G43AB1-CVF无缓冲双列直插式存储模块 无缓冲区和寄存器：延迟值更小32GB 2R x 8 LPDDR4 2988Mbps 1.2 V 288FBGA

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