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intel的7nm芯片将量产,性能约等于台积电5nm、三星3nm?
2022-04-15 来源:互联网乱侃秀
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关键词:英特尔光刻机芯片

上周,英特尔位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂完成了第一台EUV光刻机的安装,而这也是欧洲首个具备EUV工艺的晶圆厂。

而按照intel的说法,Fab 34工厂将在下半年量产intel 4工艺,也就是7nm,比预计的时间可能会提前一点点。

为何intel要将7nm,命名为intel 4?很多网友表示,这是因为intel觉得自己的7nm,可以对标台积电三星的4nm工艺,所以搞了个4出来,从命名上扳回一局,掩盖自己的工艺落后的尴尬局面。

那么intel的7nm究竟有多厉害?能不能与台积电、三星的4nm相媲美?我们还是按照摩尔定律的基本原则来说一说。

摩尔定律里面关于芯片的性能,主要是以晶体管密度为基础的,说是每18个月,晶体管密度就要翻一倍,所以我们也说晶体管密度这个指标,可能比较靠谱一点。

如上图所示,英特尔的7nm工艺,其晶体管密度是1.8亿个每平方毫米。

而台积电的5nm工艺,其晶体管密度是1.73亿个每平方毫米,说起来比intel的7nm还差一点。

至于台积电的3nm工艺,晶体管密度则达到了2.9亿个每平方毫米,与intel的5nm,也就是intel 3工艺差不多了。

再看看三星,5nm工艺时,晶体管密度是1.27亿个每平方毫米,确实比不上英特尔的7nm。甚至三星的3nm时,其晶体管密度也只有1.7亿个晶体管每平方毫米,比台积电的5nm还逊色一点,自然也比不过英特尔的7nm了。

由此可见,英特尔拿7nm工艺来取个intel 4工艺,对标台积电、三星的4nm是真的没错的。同样类推,我们还可以得出intel 3工艺,其实是5nm工艺,对标的是台积电的3nm。

其实过去的这几年以来,很多人都说台积电、三星的XXnm工艺造假,连高通曾经都这样表示过,但对于芯片厂商们而言,更先进的工艺,更有噱头,更有卖点,所以大家也都不介意它不是不造假了,甚至是大家一起努力将这个假的变成真的。

只有英特尔一直在遵循摩尔定律,最后倒让大家认为它工艺落后了,所以将自己的工艺改名,让大家看不出具体是XXnm来,也算是英特尔耍的一个“小聪明”。



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