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消息，中国通信设备巨头华为提出了一种适用于3D-DRAM构建的垂直通道全能（channel-all-around，CAA）晶体管。

据eeNews报道，该提案被包含在一篇论文中，将在2022年IEEE超大规模集成电路技术和电路研讨会上提交，该研讨会定于6月12日至17日在夏威夷檀香山举行。

该器件是一种铟镓氧化锌（IGZO）场效应晶体管（FET），其IGZO、高k电介质氧化铪和IZO层围绕一个垂直柱排列。IGZO厚度约为3nm。HfOx和IZO的厚度约为8nm。垂直方向的通道长度为55nm，平面内的临界尺寸为50nm。

该晶体管在Vth+1V时达到32.8microamps/micron的电流密度，亚阈值摆幅为92mV/decade。

作者声称，在-40摄氏度到+120摄氏度之间，该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，有望成为未来超越1-alpha节点的高性能3D-DRAM的候选产品。