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外媒:华为提出了适用于3D-DRAM的CAA晶体管
2022-05-31 来源:网络整理
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关键词:华为晶体管

图源:网络


消息,中国通信设备巨头华为提出了一种适用于3D-DRAM构建的垂直通道全能(channel-all-around,CAA)晶体管。


据eeNews报道,该提案被包含在一篇论文中,将在2022年IEEE超大规模集成电路技术和电路研讨会上提交,该研讨会定于6月12日至17日在夏威夷檀香山举行。


该器件是一种铟镓氧化锌(IGZO)场效应晶体管(FET),其IGZO、高k电介质氧化铪和IZO层围绕一个垂直柱排列。IGZO厚度约为3nm。HfOx和IZO的厚度约为8nm。垂直方向的通道长度为55nm,平面内的临界尺寸为50nm。


该晶体管在Vth+1V时达到32.8microamps/micron的电流密度,亚阈值摆幅为92mV/decade。


作者声称,在-40摄氏度到+120摄氏度之间,该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,有望成为未来超越1-alpha节点的高性能3D-DRAM的候选产品。



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