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消息称长江存储将直接挑战 232层NAND,并于 2022 年底量产
2022-06-14 来源:IT之家
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关键词:NAND

6 月 14 日消息,3D NAND 200 层堆栈以上赛局加速展开,存储器大厂美光 (Micron) 此前提出业界首家 232 层堆栈 3D NAND 闪存将于 2022 年底前率先量产。


据 DigiTimes 报道,近日市场传言称,长江存储将跳过原定 192 层技术,直接挑战 232 层 NAND,并于 2022 年底量产。


据报道,存储器相关业者指出,如此一来,长江存储可望赶上其他 NAND 大厂如三星电子、铠侠等的脚步,并于 2023 年将逐步拓展 232 层 NAND 产能比重,为全球 NAND 产业竞赛投下重磅炸弹。



长江存储已推出 128 层 3D NAND 闪存,此前有消息称已向一些客户交付了其自主研发的 192 层 3D NAND 闪存的样品。


此外,市场观察人士认为,三星电子预计将在 2022 年晚些时候加入 200 层以上 3D NAND 闪存的竞争。



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