EUV光刻机是当下最先进的芯片生产制造设备，主要用于生产制造7nm及以下制程的芯片，可以说，EUV光刻机出现后，其就供不应求。

据悉，ASML将大量的EUV光刻机出货给了台积电，剩下的则出货给了三星和英特尔，由于三星的数量少于台积电，所以在产能和良品率方面相对落后。

在这样的情况下，三星李在镕亲自前往荷兰总部，目的是想获得更多EUV光刻机，并想优先获得下一代EUV光刻机等更先进的设备。

而国内厂商早就全款订购了一台EUV光刻机，但由于各种原因，至今都没有到货，ASML也明确表示在没有许可的情况下，EUV光刻机是无法自由出货。

没有EUV光刻机，就无法量产7nm等制程的芯片，这实际上是一个错误的观点，而且，还把EUV光刻机给神化了，实际上，没它一样量产7nm芯片。

首先，第一代7nm芯片就是用DUV光刻机量产的，台积电就是这么干的，采用的是多层曝光工艺，只不过，相比EUV光刻机有点费事。

目前，厂商已经用多层曝光工艺量产了14nm芯片，良品率等敢于同国际大厂相比较，这说明国内厂商掌握的多层曝光工艺已经十分纯熟了。

在这样的情况下，用DUV光刻机量产7nm芯片有戏，毕竟，都是采用多层曝光工艺。

更何况，厂商都已经小范围内试产了N+1工艺的芯片，这种芯片在逻辑面积上与台积电的7nm芯片十分相似，只不过主打低功耗。

台积电还明确表示用DUV光刻机也能够量产5nm芯片，只不过工艺更复杂一些，成本更高一些。

要知道，越是先进制程的芯片，其就是逻辑面积变小，更小的面积中内置更多晶体管，使用DUV光刻机虽然有难度，只不过是工艺复杂、良品率会一些。

否则，厂商也不会在仅有DUV光刻机的情况下，就完成了7nm芯片的研发任务，还小范围内试产了N+1工艺的芯片。

其次，NIL工艺出现了。

NIL工艺的出现，让EUV光刻机可以说彻底掉下神坛，因为在NIL工艺之下，根本就不用使用EUV光刻机，依旧可以将芯片制程缩小至5nm。

据了解，NIL工艺是一种压印工艺，先刻上纳米电路图案，然后再将电路图案“压印”在晶圆上，就像盖章一样。

因为不需要使用类似EUV光刻机那样先进的镜头，所以成本低了很多。

根据佳能等发布的消息可知，使用NIL工艺量产的5nm芯片预计在2025年实现，相比EUV工艺而言，其成本降低90%，还能够节约大量的能源费用。

关键是，佳能等厂商有意在全球范围内推广NIL工艺，让这种工艺用于生产先进的储存芯片和非储存芯片。

最后，光电芯片也是好的解决方案

光电芯片完全不同于硅芯片，任正非都明确表示光电芯片技术可以完全绕开美芯技术，而华为在光电芯片领域内，已经布局十余年时间。

为了更好发展光电芯片技术，华为不仅计划在剑桥附近建设华为全球研发中心，主要研发光电芯片，还在博士招聘中，多次公开招聘相关技术人才。

另外，荷兰也宣布投资11亿欧元到光电芯片领域内，目的是想在下一代芯片技术方面保持领先，毕竟，其也想完全实现自由出货。

更何况，光电芯片的制造工艺不同于硅芯片，自然也就谈不上EUV光刻机了。所以才说别神化EUV光刻机，没它一样量产7nm芯片。对此，你们怎么看。