图源：路透社截图

白宫：长江存储对美公司构成“直接威胁”

路透社援引知情人士透露，美国官员将禁止向中国出口用于制造128层以上 NAND芯片的设备。目前生产该类芯片设备的美国大厂包括应用材料( Applied Materials)和泛林集团(LAM Research) 等厂商，对此知情人表示相关计划正在讨论阶段，还没有任何的法案起草程序。

如果该限制计划获得通过，意味着限制范围将扩大到包括禁止将美国芯片制造设备运往在中国大陆境内的NAND Flash工厂，其中也包括三星和SK海力士在中国大陆的工厂。据出口管制专家称这将标志着美国首次通过出口管制，来针对中国生产没有专门军事用途的存储芯片。

报道强调，成立于2016年的长江存储是NAND Flash闪存制造领域的后起之秀。资料也显示，长江存储早已成功量产128层NAND Flash，并正在积极的研发232层NAND Flash，有传闻称最快可能今年年底量产。

图：长江存储芯片

美国白宫曾在2021年6月的一份报告中写道，长江存储获得了约240亿美元的中国补贴，长江存储的扩张和低价产品对美光和西部数据构成“直接威胁”。根据市场咨询与调查机构Yole Intelligence 的资料显示，西部数据与美光总计约占全球NAND Flash闪存产量25%的份额，长江存储约占5%，较一年前几乎翻倍成长。

因此未来一但美国禁止出口生产128层堆叠以上NAND Flash闪存芯片的生产设备给长江存储，长江存储可能将因此而受困。据美国商务部称，长江存储已在接受商务部调查。

美国打压中国芯片行业升级

美国负责出口管制的商务部发言人表示。“拜登政府专注于损害（中国）制造先进半导体的努力，以解决美国的重大国家安全风险。”此前美政府已禁止企业在未获许可时，向部分中国芯片制造商出售可制造10nm或更先进芯片的大多数设备。日前据彭博社报道，美国新规定将禁供范围扩大至14nm。

彭博社援引知情人士消息称，在过去两周左右的时间里，所有美国设备制造商都收到了美国商务部的信件，要求它们不得向中国供应用于制造14纳米或以下芯片的设备。

对此美国两家芯片设备公司泛林半导体（Lam Research）和科磊（KLA）已证实新规定将对中国的禁供范围扩大至14nm，并涵盖了众多行业中更广泛的半导体产品，或波及更多公司。