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三星羡慕嫉妒恨,台积电3nm工艺,良率高达80%
2022-08-26 来源:互联网乱侃秀
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关键词:高通集成电路半导体

众所周知,自从进入5nm之后,大家就都吐槽三星工艺不行,良率低、功耗大,发热大。并且还拿出各种事例来证明。


比如5nm的骁龙888,有火龙之称。然后4nm的高通骁龙8Gen1,一样是火龙,同时因为良率太低,被高通嫌弃,最后高通将订单转给台积电,生产骁龙8+了。


而台积电生产的骁龙8+,也是4nm工艺,但明显比骁龙8Gen1性能强,功耗低,发热小。



按照媒体的爆料,三星4nm工艺的良率只有35%左右。后来更是爆料称,在3nm时,三星虽然采用了更先进的GAAFET晶体管技术,但良率却更低了,只有10-20%,糟糕的令人发指。


所以客户们都不愿意按晶圆片数来计算订单了,只愿意按照成口芯片数来计算,因为良率低,成本太高,IC厂商们都抗不住。



那么三星的良率这么糟糕,台积电的又怎么样呢?近日是有媒体披露了一页台积电的PPT内容,上面显示,N3E 工艺进展非常好,平均达到了80%以上。


如果属实,那么就意味着台积电的良率是三星的4倍,同样条件下,三星生产一颗芯片,台积电就能生产4颗,这差距就太大了,不知道三星看了会不会羡慕嫉妒恨?



三星一直想在在代工领域超过台积电,特别是3nm时,更是憋了一口气,率先量产,更是采用了GAAFET晶体管技术,就是想先领先台积电一步,然后再慢慢把优势扩大,最终超过台积电。


但从现在这个良率来看,三星的路还很长,要努力的地方还有很多,毕竟良率差这么多,客户选择谁,这不是明摆着的么?


按照台积电的资料,3nm工艺,功耗降低 34%,性能提升18%,晶体管密度也可以提升至少18%,明年全面量产,就看到时候与三星相比,究竟谁更厉害了。



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