众所周知，制造7nm及以下工艺的芯片，需要用到EUV光刻机，而全球仅有ASML能够生产。

ASML在2015年，就推出了第一代EUV光刻机WINSCAN NXE:3400B，之后在2019年推出了NXE:3400C，2021年推出了NXE:3600D。

不过据称，NXE:3600D型号的EUV光刻机，支持的工艺可能仅到3nm，如果要制造2nm的芯片，光刻精度还要提升，需要新一代的High-NA极紫外光刻机才行。

而光刻精度怎么提升，就是数值孔径的提升了， 前几代光刻机，比如3400B/C、3600D的数值孔径都是0.33NA的，解析度（精度）为13nm，单次构图间距为32nm到30nm。

而要生产2nm的芯片，数值孔径要变为0.55NA，也就是解析度（精度）为8nm，这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案，同时单次构图间距低于30nm。

这种新的EUV光刻机叫做型号，就叫做EXE:5200，目前ASML已经有了规划，预计在2024年底，或者2025年交付。

而基于0.55NA数值孔径的光刻机，光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍，其处理晶圆的能力是每小时处理220片12寸晶圆左右，真正用于制造3nm以下的芯片。

一小时处理220片12寸的晶圆，其产能有多大？如果是苹果A16这样的芯片，一块晶圆可以切割600块左右，理论上一台这样的光刻机，一年可以就光刻10亿颗以上……

至于价格方面，ASML表示，其0.55NA的下一代EUV光刻机单价将达到3亿多美元（约合20亿元人民币）。

至于买家，当然只有台积电、三星、英特尔三家才有资格购买，其它的晶圆厂，能够买到0.33NA的EUV光刻机，就已经非常不错了，不要想这种0.55NA的。

当然，如果不生产7nm及以下的晶圆，EUV光刻机都不需要，DUV就够了，更就不用纠结这3亿多美元一台的0.55NA的EUV光刻机了。