众所周知，目前最牛的光刻机，还是ASML的EUV光刻机，用于7nm及以下工艺芯片的光刻，且全球只有ASML能够制造EUV光刻机。
自从2015年推出第一代EUV光刻机后，ASML目前也发展了3代，从最开始NXE:3400B，到NXE:3400C再到NXE:3600D，预计在今年可能会推出新一代的机器，叫做NXE:5000。
而到2025年可能会推出全新一代的High-NA EUV光刻机。何谓High-NA EUV，即高数值了孔径的EUV光刻机。
之前的EUV光刻机，其数值孔径（NA）为0.33。而High-NA EUV光刻机，其NA达到了0.55。
数值孔径高了，有什么用？值孔径代表的其实是解析度（精度），数值孔径越高，解析度越高，精度也就越高，这样可以更好，更快的曝光更复杂的集成电路图案，降低单次构图间距。
比如数值孔径为0.55的High-NA EUV光刻机，就可以用于2nm芯片的光刻，而数值孔径为。0.33NA的EUV光刻机，主要用于3nm-7nm芯片的光刻。
那么全新一代的High-NA EUV光刻机之后，又会是什么样的光刻机？近日ASML的首席技术官Martin van den Brink接受媒体采访后表示，这可能是EUV最后一代技术了。
也就是说2025年推出全新的High-NA EUV光刻机NXE:5200之后，可能无法再提升数值孔径，只能维持在这个精度了。
Martin van den Brink表示，虽然ASML以研究，想要再提升数值孔径，但目前无法解决难题，并且由于制造成本过高，经济上也不可行，所以NXE:5200可能是最后的EUV光刻机了。
那么NXE:5200之后，会是什么样的技术？近日美国某公司推出了电子束光刻机，能够制造0.768nm的芯片，但无法批量制造芯片，只能小规模的生产。另外还有俄罗斯在研究“无掩膜X射线光刻机”等，据称能够比EUV光刻机精度更高。
就看这些与EUV不同的技术，能不能实现更高的精度，并且能够批量生产了，否则摩尔定律可能真的到了2nm之后，就要失效了，芯片工艺无法再前进了，因为光刻机精度无法再提高了。
