不过目前ASML也遇到了技术瓶颈，那就是采用13.5nm波长的EUV光刻机，就算到2025年推出全新的0.55数值孔径的全新一代High－NA极紫外光刻机，其极限可能也在2nm。

而ASML的首席技术官Martin van den Brink近日表示，High－NA可能是EUV光刻机的极限，代表着2nm可能就是EUV光刻机的尽头了，1nm以下可谓难如登天。

而只要光刻机技术无法前进，芯片工艺就无法前进，摩尔定律就真的死了，所以全球的厂商们，都在想方设法，用其它技术来挑战EUV光刻机。

一方面是为了抢ASML的市场，另外一方面则是为摩尔定律续命。

近日美国公司Zyvex Labs表示，他们推出了亚纳米分辨率的光刻系统Zyvex Litho 1，分辨率可以达到0.768nm，大约是两个硅原子的宽度，并且制造出了0.768nm的成品芯片。

这就突破了EUV光刻机的极限了，并且使用的是不同于EUV的光刻技术，采用的是EBL电子束光刻方式。

不过目前这种技术的缺点是产量很低，无法大规模制造芯片，但至少代表了一个技术方向，说不定未来技术改进，能够大规模制造芯片了呢？

而俄罗斯，之前则公布了另外一种技术，那就是基于X射线的无掩膜式光刻。

这种技术与EUV光刻机，有两种不同之处。一是采用X射线，波长介于0.01nm至10nm之间，比13.5nm的极紫外线波长更小，从而精度更高。二是无掩膜，直接操纵X射线进行光刻，不需要提前制作掩膜。

不过俄罗斯目前并没有制造出成品芯片，也没有突破EUV光刻机的极限，还只是一个理论方向。

接下来就看ASML、美国、俄罗斯们的技术前进了，看谁能够真正突破EUV光刻机的极限，突破2nm制程，接档EUV光刻机，让摩尔定律能够继续成立。

当然，我们也更希望中国的厂商们，能够成为突破EUV技术极限中的一员，毕竟我们已经被光刻机卡住太久的脖子了，急需突破。