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三星豪言:2027年,量产1.4nm芯片,但实际光刻机都没着落
2022-10-08 来源:互联网乱侃秀
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关键词:光刻机台积电集成电路

最近几年,三星做梦都想要在晶圆代上,超过台积电,成为全球第一。

不过5nm、4nm这两个节点上,三星确实是没拼过台积电的,因为良率太低,工艺表现不佳。


所以在3nm上,三星拼了一把,提前量产了3nm,并且采用了最新的GAAFET晶体管技术,不过从现在的情况来看,三星估计在3nm上还是拼不过台积电,毕竟客户基础是台积电的优势。



这不,三星将目光又将目光瞄向了更先进的工艺,比如2nm,以及2nm之后的工艺。


之前三星表示,要在2025年量产2nm,而台积电也表态要在2025年量产2nm,这给三星非常大的压力,于是三星近日再放豪言,要在2027年量产1.4nm。


至于为何是2027年,原因是2027年台积电未必能够量产1.4nm,因为按照台积电的计划,2025年量产2nm后,下一代工艺,可能要再过3年以上,也就是要到2028年去了。



那么三星2027年能不能量产1.4nm?这个不好说,不过我知道,现在三星连生产1.4nm芯片的光刻机都没着落,所谓的2027年量产1.4nm,真的只是在嘴上说说而已。


按照ASML的说法,最新一代的EUV光刻机,会在2025年左右推出,型号是NXE:5200,采用的是0.55NA的数值孔径,能够用于2nm芯片的光刻。

但这一代之后,EUV光刻机技术,基本上就发展到了尽头了,之后再是什么技术,ASML不知道。



而NXE:5200能不能生产1.4nm芯片,ASML自己都心里没底,只是说能够搞定2nm芯片。


芯片技术发展到现在,更新一代已经是越来越慢,需要的时间越来越长,因为工艺接近极限了,越缩小越难。


从5nm到3nm,差不多是2年多。从3nm到2nm,要3年。从2nm到1.4nm,保守估计也要3年以上,所以三星说2027年就量产,明显不太可信,你觉得呢?



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