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即将量产8英寸碳化硅衬底,天科合达的技术有多拔尖?碳化硅成为最热赛道之一
2022-11-25 来源:网络整理
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关键词:碳化硅半导体芯片

“碳化硅行业得衬底者得天下”,衬底作为SiC产业链中成本占比最大的部分,自然是各家必争之地。在下游需求带动下,SiC衬底正在从6英寸开始向8英寸推进,更大的衬底尺寸,意味着单片SiC晶圆能够制造出的芯片数量更多,晶圆边缘浪费减少,单芯片成本降低。


由于国内相关产业起步较晚,从以往SiC衬底量产节点来看,国际上4英寸SiC衬底量产时间比国内早10年左右,而6英寸拉近了差距,量产时间差大约在7年左右。不过随着产学研结合的模式铺开,以及相关产业的投资热潮,带动国内SiC衬底加速追赶国际领先水平。

最近天科合达在徐州发布了8英寸导电型SiC衬底,并公布了关键实测数据,表示多项指标均处于行业内领先水平。至于量产时间,公司透露8英寸的小规模量产时间定在2023年。




天科合达的半导体实力

衬底实现大尺寸、低缺陷突破


9月14 日,国家电网主导的35kV全SiC柔性变电站在雄安智慧驿站顺利投运。

10月11日,国网智研院功率半导体研究所官微宣布公布了更多的细节。

首先他们联合中科院半导体所、天科合达、中电五十五所、株洲中车等18家单位,经历了6年的自主攻关,已经成功实现了6.5kV级碳化硅材料-芯片-器件-测试-驱动-装置应用全链条技术突破。

与此同时,他们还研制了同电压等级国际上电流最大的6.5kV/400A碳化硅MOSFET模块,可应用于35kV/5MW全碳化硅电力电子变压器。

具体来说,他们实现了哪些突破呢?

众所周知,各种SiC功率器件在低压(600~1700V)领域实现了应用,但更高耐压(6500V及以上)的器件,受限于衬底材料缺陷密度和直径,厚外延材料缺陷大,高压芯片结构设计窗口窄,工艺加工难度高等因素,目前仍处于研发阶段。

而国网他们这次开发了6.5 kV/25A SiC MOSFET和6.5kV/400A碳化硅MOSFET模块,并实现了柔直电站的稳定运行,可以说得益于多个SiC环节产品质量和制造工艺的进步。

首先,在SiC衬底方面,业者多项研究表明,100A的SiC MOSFET芯片面积大约为10 平方毫米,而6.5kV/30A/20A大约为7-8平方毫米。而0.5-1cm2有源面积大尺寸SiC器件是很难以高良率制造的,其中缺陷密度很关键。

同样是1.68cm-2的缺陷密度,4平方毫米的芯片良率可以达到87%,而且10平方毫米的芯片良率会掉到49%左右。

据国网半导体所介绍,碳化硅材料方面,天科合达他们攻克了高压碳化硅器件对6英寸单晶衬底扩径生长、缺陷密度控制和大尺寸外延缺陷控制、快速外延生长等技术难题,研制了高质量国产单晶衬底,实现了低缺陷密度厚外延材料制备。




外延、器件、测试等环节也实现突破

实现了高压SiC MOS的可靠性


其次,外延质量也很重要。

3.3kV SiC器件的外延层大约为30μm,而6.5-10kV则要达到50-90μm,而高压器件的一个关键挑战是,较厚的外延层会导致出现更多的缺陷,而且从4吋到6吋掺杂控制和均匀性也变得更加困难。

所以,该项目团队通过改进外延SiC生长工艺,将影响芯片生产良率的表面缺陷密度进行了有效控制,尤其是提高了“杀手级”缺陷BPD转换率,提升了SiC器件的可靠性。

碳化硅芯片方面,该项目团队解决了设计和工艺兼容性差、导通电阻大、碎片率高等难题,在国内首次掌握了6英寸碳化硅芯片全流程工艺,国内首次批量研制高耐压、高通流能力的6.5 kV/25 A SiC MOSFET芯片,通过高温栅偏、高温反偏等系列可靠性测试。

碳化硅测试方面,项目团队建成了国内首套6.5kV/400A SiC MOSFET模块动态测试平台,系统寄生参数低,克服了现有商业测试平台的不足。

携手奋斗17年,打造国产半导体产业的明天

一片直径15厘米、厚度只有0.35毫米的碳化硅晶片,上面能刻画出庞大的信息。然而碳化硅晶片的制作工艺极其复杂,需要把碳化硅原料加热到2300℃并变成气态后,再通过控制包括温度、压力在内的各种技术参数,最后结晶形成硅锭。这项技术难度高、且占器件成本一半的衬底材料,被视作碳化硅产业链关键环节,业内也有着“得衬底者得天下”的说法。打个比方, 5G速度快就在于它有一颗非常强大的心脏,而这个心脏依赖的就是这一片薄如纸的碳化硅晶片。

过去这种晶片主要产能集中在欧美,由于其他国家拒绝分享核心技术,我国碳化硅晶片的研究进展一直十分缓慢。而就在最近十年,在杨建和搭档陈小龙的努力下,情况已经发生了巨大转变。2014年,天科合达终于成功将6英寸的晶片研发成功,并于2016年量产推向市场。

从开始接触碳化硅晶片技术到量产推向市场,杨建和搭档陈小龙整整奋斗了十七年。

作为高新技术企业的带头人,杨建对技术人才有着迫切的需求。与其挖掘人才,不如自己培养人才。在杨建看来,北京有着浓厚学术环境和得天独厚的科研优势,用培养的方式获取人才,才能给自己制造更多的机会。北京市组织部、大兴区组织部对此也是大力支持,为公司5名成熟人才、15名应届硕士解决了北京户口,15人解决公租房。此外,公司5人还获得“大兴区新国门领军人才”称号、6人获得“大兴区优秀青年”称号。这是人才对北京的情愫,更是北京对人才的温度。

与此同时,北京市大兴区政府在国家(市级)项目匹配资金、重大科技成果转化、促进高精尖产业发展、人才培养等方面,全方位、多维度给予了企业资金和政策支持。在2020年,天科合达向北京市大兴区申请土地为工厂扩建做准备。虽然工程进展受到疫情影响,但在政府各方努力协调下,新工厂的建设已经进入尾声,预计今年七月底就能进驻投产。

目前,天科合达在导电型碳化硅晶片方面占据了将近90%以上的国内市场。这也意味着,天科合达完全有能力替代国外产品,去适应中国自己的碳化硅晶片需求。




行业围攻SiC衬底市场

在对SiC衬底的争夺方面,可以从两个纬度看。一方面,是那些器件厂商打造自己的衬底供应,消防队罗姆和ST打造自己的全供应链。

另一方面,第三方SiC供应的争夺也逐渐白热化。首先大家熟悉的,多年的竞争对手的出招。II-VI在去年三月宣布,计划扩大其在中国的碳化硅(SiC)晶圆加工生产基地。报道指出,该计划将在5年内将其SiC基板的生产能力提高5到10倍,包括直径200毫米的衬底;昭和电工在去年八月也宣布,将藉由公募增资、第三者配额增资筹措约1,100亿日元资金,其中约700亿日圆将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

除了上述企业外,日经经济新闻在日前报道中指出,日本企业住友金属矿山(简称住友矿山)开始量产新一代功率半导体使用的晶圆。

报道表示,住友金属矿山于2017年收购了电子部件经销商加贺电子旗下的碳化硅基板开发企业日本SICOXS,一直在推进共同研究。在晶圆制造方面,将主要由东京的青梅工厂负责前制程、由鹿儿岛县的鹿儿岛工厂负责后制程,然后供货。

日经指出,因为住友矿山开发出了相关技术,在因结晶不规则而价格较低的底层「多晶碳化硅」上贴一层可以降低发电损耗的「单晶碳化硅」,从而做成1片晶圆。据悉与只用单晶碳化硅的传统产品相比,价格低1~2成。按照日经的说法,住友矿山要抢占美国科锐(CREE)等领先企业的市场,而预计2025年实现月産1万片。此外,住友矿山还考虑开发可以高效量产功率半导体的直径8英吋产品,并在海外建设生产基地等。

无独有偶,全球硅晶圆大厂环球晶对这个市场也虎视眈眈。

据报道,环球晶董事长徐秀兰上月底在出席国际光电大展时透露,明年将同步扩产GaN(氮化镓) 与SiC(碳化硅) ,产能均将翻倍成长。报道指出,环球晶目前6 吋SiC 衬底月产能约2000 片,部分客户已开始出货,据悉,由于客户需求强劲,明年6 吋SiC 衬底产能将不只翻倍增,而是呈现倍数成长,可望扩增至5000 片,也有机会进一步提升至8000 片。

去年九月,韩国SK 集团也宣布,计划在碳化硅衬底业务上投资 7000 亿韩元(约合 38亿元人民币),以期 2025 年成为世界尖端材料市场的龙头。根据报道,SK 集团计划将 SiC 晶圆的生产能力从2021年的年产3万片增加到 2025 年的每月 5万片,大幅提高他们的市占率。该他们预测,2021 年 ,公司SiC 晶圆业务的销售额将达到 300 亿韩元,并计划到 2025 年将销售额提高到 5000 亿韩元

SOI晶圆供应商Soitec在去年11月30日也宣布,收购碳化硅晶圆抛光和回收公司NOVASiC,以推动电动汽车和工业应用电源系统半导体的开发。Soitec表示,他们将通过独特的碳化硅技术SmartCut,用多晶碳化硅衬底,来提高单晶供体碳化硅衬底的重复使用率、良率、性能。



当然,正在大力发展半导体产业的中国,也自然不会错过这个机会。如最近上市的天岳就是国内SiC衬底的供应商。另外还有天科合达和三安光电等本土企业正在深耕这个领域。

不过,正如天岳在招股说明书中所说:“根据公开信息,行业龙头科锐公司能够批量供应 4 英寸至 6 英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底,且已成功研发并开始建设 8 英寸产品生产线。目前,公司主要产品是 4 英寸半绝缘型碳化硅衬底,6 英寸半绝缘型和 6 英寸导电型衬底已形成小批量销售,与全球行业龙头尚存在一定的差距。”

这可以看作国内碳化硅衬底的一个缩影,但可以肯定的是。作为全球最有影响力的市场之一,中国厂商在这个赛道的未来表现绝对不容忽视。



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