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比三星、美光更先进的232层闪存芯片,我们率先造出来了
2022-12-05 来源:互联网乱侃秀
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关键词:晶体管长存存储海力士

逻辑芯片,也就是大家熟悉的手机Soc、CPU、GPU等芯片,工艺提升的方面主要是进行平面微缩,即制程越来越先进,XXnm中这个XX数字越来越小。

但在是NAND闪存领域,单纯靠微缩晶体管,是不可行的,因为研究表示,当工艺达到了15nm左右时,再提升工艺,存储芯片的性能会非常不稳定,作为存储芯片,数据无价,稳定排第一。

所以不管是三星、还是美光、SK海力士们,这些芯片巨头们发现,在NAND闪存芯片上,提升工艺是一方面,另外将芯片进行3D立体堆叠,更是一个重要的方向。

所以我们看到介绍存储芯片时,都是讲XX层堆叠,比如64层堆叠,128层堆叠,192层堆叠等,层数越多,存储密度越高,技术越先进。

目前全球范围内,主要产品还是192层堆叠的NAND闪存芯片,而美光在今年上半年发布了232层堆叠的芯片,不过没有大规模量产,也就是说还是PPT芯片。

但是,近日我们发现,国产NAND芯片支棱起来了,232层堆叠的NAND闪存芯片,我们领先于三星、美光率先规模量产了。

这家厂商就是长江存储,大家发现目前在一些国产SSD中,已经发现大量使用了长江存储232层的NAND闪存,这也是全球率先量产的232层NAND闪存。

这意味着长期以来,被美日韩垄断的NAND市场,中国厂商领先打破了垄断。而2016年才成立的长江存储,其实只花了6年时间,就实现了从落后10多年,到领先于全球。

对此不知道大家怎么看?可见,只要国内的企业肯钻研,肯努力,就没有中国搞不定的芯片,NAND如此,CPU、GPU也是如此,你觉得呢?

当然,量产了232层的NAND闪存芯片后,还只是迈出了一小步,毕竟我们还需要扩大市场,但相信有了技术,市场也就不用愁了,扬以三星、美光等厂商颤抖吧,等着长江存储发威吧。



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