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不黑不吹,研发出EUV光刻机,我们也无法顺利制造7nm芯片
2022-12-06 来源:互联网乱侃秀
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关键词:光刻机半导体

目前网络有一种声音,那就是我们必须自研出EUV光刻机,只要自研出EUV光刻机,ASML和美国就卡不住我们的脖子了,芯片就再也不用愁了。

但真的自研出EUV光刻机,我们就能够制造出7nm芯片了么?在我看来,仅靠EUV光刻机,是远远不够的,还差得远呢。

芯片制造是一个非常复杂的流程,涉及到几十种设备,上百道工序,主要可以分为单晶硅片制造、前道工序、后道工序这三部分。

单晶硅片涉及到各种半导体材料,目前国内整体半导体材料的自给率不足20%,特别是14nm以下的半导体材料自给率就更低,高度依赖国外进口。

而前道工序更是重点,有至少8个工序,分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试。

而这里也要用到各种设备,众多的材料,光刻机只是其中的一种设备,这些设备大多和光刻机一样,是有精度要求的,分别要求达到7nm。

还有一些材料,也需要达到7nm,比如光刻胶,7nm及以下芯片制造需要的是EUV光刻胶,但我们自给率为0。

后道工序,这里主要涉及到的是封测,相对要求会低一些,但也是有工艺精度要求的。

综合起来看,要想芯片制造水平达到7nm,需要EDA支持7nm,半导体材料也是支持7nm,半导体设备也支持7nm……

而EUV光刻机只是其中的一种设备,就算我们突破了,美国或其它国家一样能够在其它设备、材料上卡住我们,因为目前国产的半导体材料、半导体设备,很多在28nm甚至更成熟的工艺,达到7nm的少之又少。

目前仅是EUV光刻机卡得最为明显,卡得最为关键,最为大家所知而已,并不意味着其它设备或材料不卡了,一旦EUV光刻机我们有了,美国在其它设备或材料上就会卡住我们的。

要想真正不受限的制造出7nm芯片,我们需要的是整个产业链崛起,达到7nm才行的,所以现在真不必急着进入7nm,并且也进入不了。

按照机构的数据,2022年28nm及以下的芯片占全球所有芯片的比例还高达75%+,所以我们现在的重点不是先进工艺,而是全产业的国产化率,同时提升产能,先满足国内成熟工艺的需求,先解决了这些问题,再向先进工艺前进,这样才走得稳健。



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