原因是只有ASML能够生产EUV光刻机，而要目前的芯片制造流程和工艺下，EUV光刻机是制造7nm及以下芯片必不可少的机器，没有替代品。

所以我们看到三星、台积电在争抢EUV光刻机，因为EUV光刻机就决定了双方的产能、工艺等等。

而我们也清楚，国内的中芯曾经也订购过一台EUV光刻机，不过美国中从干涉，现在是苦等EUV光刻机而不得，工艺停留在14nm，很难前进。

这样的情况，当然是全球所有晶圆厂，甚至可以说是全球的产导体产业都不愿意看到的，一家企业卡住全球半导体的脖子，这怎么能行呢？

所以大家都在想办法，绕过EUV光刻机，或者找到替代EUV光刻机的设备，解决卡脖子的问题。

目前有想从光刻机技术上解决的，比如佳能押注NIL技术，也就是纳米压印，将芯片的电路板，像打印机一样，打印到硅片上，能够比EUV光刻机精度更高，功耗更低，成本更低。

而美国企业在搞EBL电子束光刻机，用电子来替代EUV光源来进行光刻，美国公司Zyvex甚至用电子束光刻技术制造了768皮米，也就是0.7nm的芯片，但目前是这种光刻机无法大规模量芯片，产能不行，但还有改进空间。

另外还有自组装（DSA）光刻技术，利用新的化学材料，让电路图直接在硅片上生成，不需要光刻，像比利时微电子中心、麻省理工学院，他们都建立了自组装产线进行研究。

而除了这三种技术外，还有X-射线光刻。以及通过改进晶体管结构，比如3D封装、堆叠技术、Chiplet技术等，通过这些技术来微缩晶体管，提升晶体管密度，从而不需要EUV光刻机，也能提升性能。

还有就是研发新的材料，比如碳基芯片、光电子芯片、量子芯片等，通过这些新的技术，来绕过EUV光刻机。

可以说，目前ASML也是压力山大，毕竟ASML的帝国，是靠EUV光刻机巩固的，一旦EUV不再是不可替代，ASML的地位堪忧。

更重要是，通过ASML构成的半导体生态，也将迎来大洗牌，这个洗牌，可能会影响全球的半导体格局，所以谁都不想错过机会，谁也无法置身事外。