12月29日，据华润微电子官方公众号消息，华润微电子重庆12英寸晶圆制造生产线以及先进功率封测基地实现通线。

公开资料显示，华润微电子重庆12英寸晶圆制造生产线项目总投资75.5亿元，项目建成后预计将形成月产3-3.5万片12英寸中高端功率半导体晶圆生产能力，并配套建设12英寸外延及薄片工艺能力。

据悉，从项目公司注册成立，华润微电子仅用18个月即实现包括中低压沟槽SGT MOS、高压超结SJ MOS在内的四个产品平台全部通线，该项目进入产品投产流通与产能建设上量并行阶段。

此外，华润微电子先进功率封测基地项目，是华润微电子布局的中高端功率封装项目，致力于打造聚焦于汽车电子和工控市场、国内工艺全面、技术先进、规模领先的功率半导体专用封测工厂，包括模块级、晶圆级、框架级、面板级多条封装测试生产线。项目2021年11月正式开工；今年7月，先进功率封测基地成功实现主体封顶；12月22日，首颗中低压SGT功率器件PDFN 3.3产品顺利产出，良率99.5%，各项指标满足产品规范，项目成功通线。

伴随着华润微旗下润西微电子重庆12英寸车规级功率器件晶圆生产线和配套的车规级先进功率半导体封测基地建成投产，华润微车规级功率器件产业基地已初步成型，将持续支撑公司产品应用升级，进一步完善在车规功率半导体领域的布局。

除了华润微电子外，士兰微，斯达半导、安世半导体、东微半导体、新洁能等企业在高压、低压MOSFET和IGBT器件等领域实现突破，产品在市场上崭露头角。

士兰微方面，2022年10月24日，士兰微发布公告称，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，目标在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片生产能力。

斯达半导则在2022年公司基于第六代Trench Field Stop技术的车规级IGBT模块获得多个平台/项目定点，对标英飞凌的第七代FS-Trench型新一代车规级IGBT芯片也取得突破性进展，进一步巩固其龙头地位。

安世半导体方面，则不断加强在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品布局，2022年5月，安世半导体已在奥地利萨尔茨堡与Kyocera AVX Components签署了一项协议，生产氮化镓（GaN）汽车功率模块。该协议目标是以新的封装技术为基础，共同开发用于电动汽车的GaN应用。

东微半导体方面，其TGBT产品经过2021年下半年的小批量过程，2022年进入高速增长阶段，成为公司业务的新增长点。其推出高功率超级结产品，相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体，已有产品的工作电压范围已覆盖600V-1350V，工作电流覆盖至15A-160A。

新洁能则在2022年4月表示，公司的碳化硅产品1200V SiC MOSFET首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平。此外，其600V-1350V的沟槽型场截止IGBT、500V-900V的第三代超结功率 MOSFET、30V-300V的屏蔽栅功率MOSFET、12V-250V的沟槽型功率MOSFET均已实现量产及系列化。