根据 Yole 的定义，如果一个die能在每平方毫米内能集成超过16个pitch小于130μm的I/O。如超高密度 (UHD) 扇出、嵌入式硅桥、硅中介层、3D 堆栈存储器（例如 3D NAND）、高带宽存储器（HBM）和 3D 堆栈 DRAM 就是满足这些标准的一些封装平台。
另一个值得考虑的平台是 3DSoC，它采用芯片到晶圆 (D2W:die-to-wafer) 的混合键合。嵌入式硅桥（embedded Si bridges）有两种可能的选择：第一种，称为 EMIB，由 Intel 提出并嵌入IC基板中；第二种是嵌入模制化合物（mold compound）中的硅中介层，由 TSMC (LSI) 和 SPIL (FOEB) 提供。
具体到硅中介层（ Si interposers）方面，则有两种产品：一种是传统的或非有源的，通常由 TSMC、三星和 UMC 提供；另一种是有源的，即英特尔的 Foveros。把EMIB 与 Foveros 结合则产生了 Co-EMIB，这个技术被应用到了英特尔的 Ponte Vecchio处理器上。三星、SK海力士和美光则提供了3D 堆叠 DRAM 和 HBM 内存。
此外，Sony（自2015年起）和OmniVision（自2022年起）这样的CIS供应商使用W2W混合键合生产的CMOS图像传感器也是一种3D堆叠封装平台，但它们不是高端性能平台，因为它不能满足I/O方面密度和间距的要求 ，这代表着其与上述封装有着相当的差距。
前途无量的先进封装市场
与其他封装平台相比，高端性能封装的单位数量很小，但由于其复杂性导致平均售价较高，因此它产生的收入比例更高。预计到 2027 年收入将超过145亿美元，高于 2022 年的 26亿美元，这就意味着其在2022到2027年间的CAGR为41%。
这种健康增长归因于包括云计算、网络、人工智能、自动驾驶、个人计算和游戏在内的高性能计算终端系统的增加。这些应用都需要用更复杂的节点生产更大、更复杂的芯片，这些节点会随着成本的增加而扩展。这些趋势促使半导体行业制定具有高端封装选项的系统级扩展策略，而不仅仅是扩展 FE 高级节点。
通过将大型单片 SoC 裸片拆分成更小的芯片并仅缩放最关键的电路组件，小芯片以及异构集成是降低缩放成本的一种选择。这只能通过使用具有高连接密度、高带宽和良好功率效率的 2.5D 和 3D 集成技术来实现。因此，由于研发和生产方面的重大进步，微凸块、硅通孔 (TSV)、铜柱和混合键合正在推动高端性能应用中的 IO 密度和功能集成达到新高度。
3D SoC（包括die-to-wafer和die-to-die混合封装）则被看作是10μm以下pitch技术的下一个突破点。作为前端封装技术，这使得高端系统级性能与3D DRAM的更密集的3D IC堆叠、异构集成封装和封装分区SoC die成为可能。领先的供应商，尤其是台积电、三星和英特尔，都以此为目标，提供或计划提供尖端的混合键合解决方案。这也许是半导体和封装世界之间的真正接触点。
先进封装正在向前端靠拢。证据在于代工厂和 IDM，因为它们正在成为市场上最先进的2.5D 和 3D 封装解决方案领导者。OSAT 正努力顺应这一趋势，提供创新的先进封装解决方案，以帮助解决摩尔定律放缓带来的前端挑战，但他们要打入混合键合市场将是极其困难的，因为他们缺乏前端能力和必要的资源。
当然，我们也必须承认，没有事情是百分百的。
巨头竞逐先进封装
和芯片制造环节一样，封装测试领域垄断性也较强，从近五年市场份额排名来看，行业龙头企业占据主要的份额，其中前三大OSAT厂商依然把控半壁江山，市占率合计超50%。
封装测试环节中国企业表现可圈可点，长电科技(600584.SH) 、通富微电和华天科技(002185.SZ) 占据全球前十大外包封测厂的三席。
根据芯思想研究院（ChipInsights）发布的2021年全球委外封测（OSAT）榜单，长电科技以预估309.5亿元营收在全球前十大OSAT厂商中排名第三，中国大陆第一；通富微电排在第五，华天科技排在第六。
长电科技已经布局先进封装多年，掌握包括系统级SIP技术，高密度扇出型晶圆级技术，倒装技术，2.5D/3D等并已实现了大规模的生产。
2021年，长电科技先进封装（包括除打线与测试外的其它封装形式）收入占比60%以上，传统打线30%，剩余的为测试。2022年预期先进封装的占比进一步提升。
在先进封装方面，通富微电与AMD密切合作，是AMD的重要封测代工厂，2021年先进封装营收占比达到70%。公司在Chiplet、WLP、SiP、Fanout、2.5D、3D堆叠等方面均有布局和储备，已大规模生产Chiplet产品，在CPU、GPU、服务器领域已实现7nm产品已大规模量产，5nm产品已完成研发即将量产。
当前先进封装技术在整个封装市场的占比正在逐步提升，根据Yole数据，先进封装全球市场规模将会从2018年约276亿美元增长至2024年约436亿美元，在全球封装市场的占比也从42.1%左右提升至49.7%左右；
2018-2024年全球先进封装市场的CAGR约8%，相比同期整体封装市场（CAGR=5%）和传统封装市场，先进封装市场的增长更为显著，将为全球封测市场贡献主要增量。
在整个崛起的先进封装市场中，掌握主流先进封装技术的国内企业将持续上收益，Chiplet模式也打开封装企业业务拓展和想象空间。
不过市场需要注意的是，Chiplet方案依然有很多技术需要实践，且并不能代替核心先进制程，国内外先进制程差距仍需要时间和研发等去消化。
未来规模将趋于集中
根据Yole的数据，2016-2021年全球先进封装市场CAGR达7.9%，2021年市场规模为321亿美元，Yole预计在2027年达到572亿美元的规模，对应2021-2027年CAGR高达10.1%，高于传统封装市场增速。此外，Yole预计到2026年，先进封装市场将会追赶上传统封装的规模，占整体规模比例的50%，先进封装的市场应用规模不断扩大。
从成长幅度来看，3D堆叠/嵌入式封装/晶圆级扇出型为发展最快速的前三大应用市场，Yole预测2019-2025的CAGR分别为21.3%/18%/16%，此外TSV作为2.5D/3D立体封装会大量使用到的互连技术，Yole预测2019-2025的CAGR为29%，增长幅度大幅领先其他技术。
由于厂商需要长期的大额资本开支，全球委外封装业务(OSAT)有较为集中的特性。在行业龙头割据下，封测产业从地理位置上也呈现高度集中的态势，2020年中国台湾、中国大陆、美国市占率分别为52%/21%/15%，合计占据88%的市场份额。
2021年，全球前十大委外封测厂(OSAT)分别为日月光（含矽品)、安靠科技、长电科技、力成科技、通富微电、华天科技、智路封测、京元电子、南茂、颀邦，前八大厂商合计占据全球77.5%的市场份额。
从产品结构来看，日月光、长电科技更多的是高端数字IC的封测，包含手机芯片/处理器/CPU/射频芯片等，安靠则多是汽车电子/射频等产品封装测试，三家企业为全球前三大封测厂，也是先进封装发展最为突出的封测厂。
通富微电主力营收大多来自CPU/GPU/服务器和网通设备相关封装测试，而力成科技则是更多都来自全球存储器巨头的存储器封测订单，华天科技则是以功率、射频封装、CIS为主，各封装厂均有自己主要的封测领域。
值得一提的是，除了传统委外封测代工厂(OSAT)外，晶圆代工厂以及IDM公司也都相继成立自己的封装厂，开发高端的封装技术，包括台积电、英特尔、三星等企业都已展开布局多年。中信证券徐涛8月9日研报中表示，在后摩尔时代，封装行业变成兵家必争之地，未来将会演变成晶圆制造厂有自己从制造到封装的一体化工艺程序，而OSAT则是强者恒强，有望更加集中。
