光刻机，应该是当前国内最关注的半导体设备了，原因在于国内技术相比于国际领水水平，应该是差距最大的，且也是严重被卡脖子的设备，美国联合荷兰、日本对先进光刻机进行封锁。

目前ASML已经有了EUV光刻机，可以实现3nm、2nm这样的芯片制造。而国内最先进的还是上海微电子的90nm的光刻机，相差不可谓不远。

事实上，从光刻机诞生到现在的EUV光刻机，其实已经经历了6代，这6代分别是g线、i线、KrF、ArF、ArFi、EUV。

那么问题就来了，国内当前的光刻机水平究竟是第几代？为什么会被卡住了呢？

我们先说这6代光刻机的分类，其实是根据曝光光源波长不同来分类的，通常来说，波长越短，加工分辨率越佳，能制造的芯片工艺就越先进。

第一二代光刻机均为接触接近式光刻机，曝光方式为接触接近式，G线（G-line）光刻机，使用的是436nm波长的光源。而I线（I-line）使用的是365nm波长的光源，这两种光刻机，也叫做紫外光刻机。

而第三代升级为投影式光刻机，利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻，以扫描的方式实现曝光。这一代叫做KrF光刻机，采用248nm光源的光刻机。

第四代的ArF光刻机，与第三代KrF原理一样，但光源升级，采用193nm光源的光刻机，这两种称之为DUV光刻机，也叫做DUV光刻机。

而第五代叫做ArFi，前面三个字母相同，因为采用的也是193nm光源，但这种又与ArF不一样，之前所有的光刻机其介质采用的是空气，但到了ArFi时，采用的是水。光线在经过水时，会有折射，所以虽然ArFi光刻机采用193nm波长光源，等经水折射时，等效于134nm波长的光源，所以这种光刻机，叫做浸润式光刻机。

当时业界光刻机技术停止了很多年，尼康、佳能想把光源从193nm升级为165nm，但好多年没成功。

这时候台积电提出来用水作介质，就跳过157nm，变成143nm了，尼康、佳能很傲慢，不理台积电，只有ASML是小厂，敢于一试，最后就搏出了ASML的未来，研发出了ArFi浸润式光刻机，然后打得尼康、佳能一败涂地。

至于第六代光刻机，则是EUV光刻机，采用的则是13.5nm的极紫外线（EUV）光源了，所以也称之为EUV光刻机，这种光刻机目前只有ASML能制造，全球仅此一家，用于7nm及以下的芯片制造。

国内早期与全球的光刻机水平相差并不是特别大，像G线、I线国内都有，KrF国内也有，目前的水平是ArF光刻机，但在ArFi上就停止不前了，因为美国对技术、元件等进行了封锁。

目前上海微电子的光刻机，采用的就是193nm波长光源的DUV光刻机，但是介质是空气。下一步理论上要实现浸润式光刻机，即虽然还是193nm波长的光刻机，但实际等效于143nm。

浸润式光刻机在多重曝光后，最高是能够实现7nm精度的，比如尼康就有类似的光刻机，ASML的浸润式光刻机，也可以实现7nm。

所以国产光刻机加油吧，只要搞定了浸润式光刻机，7nm就在向我们招手，美国基本上就卡不住脖子了，搞定7nm后，就相当于没脖子了，还怕啥？