前段时间，有媒体报道称，哈尔滨工业大学公布了一项“高速超精密激光干涉仪”研发成果，并获得了首届“金燧奖”中国光电仪器品牌榜金奖。

然后各种沸腾体的自媒体就开始写了，这是国产光刻机技术的大突破，通过这个技术，我们就能够实现7nm芯片的制造了等等，大家集体沸腾……

那么问题来了，这究竟是什么技术？真的能助我们的光刻机技术，从此进入7nm？

先看官方说明，介绍是这么写的，突破系列核心测量方法和工程化关键技术，解决了该领域存在的测不准、测不精、测不快的核心难题。

这套系统用于确保掩膜工作台、双工作台和物镜系统之间复杂的相对位置，实现光刻机的整体套刻精度，只字没提什么7nm、5nm，或者EUV光刻机等，不知道某些自媒体从哪里得出来的结论？拥有这个技术，就马上实现7nm了？

我们知道光刻机由三个核心部分组成，一个是光源，一个是物镜系统，一个是工作台。

拿目前上海微电子最强的国产光刻机来说，属于DUV光刻机，是第四代光刻机，使用的是193nm的紫外线，工作台使用的是华卓精科的双工作台。物镜系统我不清楚，也没查到相关资料，只听说是进口的。

而从当前这台193nm光刻机再升级的话，进入下一代光刻机，要进入的是第五代的ArFi浸润式光刻机，其与现在的光刻机相比，光源、工作台基本都一样，但最重要的就是物镜系统的改变。

浸润式光刻机，需要在硅晶圆上面再加一层水为介质，让193nm的光线通过水折射后，变成134nm波长的光，从而实现更高的分辨率。

而这个浸润式物镜系统涵盖了光学、机械、计算机、电子学等多个学科领域最前沿的技术。目前只有德国、日本有这整套技术，不过日本、德国都不对中国出口，而国产还暂时替代不了，这个是当前真正的难点。

如果搞不定物镜系统，那么我们就要被限制在当前这种193nm的干式光刻机上，而物镜系统突破了，就能进入浸润式光刻机，就能够实现7nm的光刻精度了。

而哈工大的这项技术，是用于掩膜板、物镜系统、工作台之间的位置对应控制的，用控制光线刻录芯片的精度的，属于关键技术之一，可以用于所有的光刻机，包括EUV光刻机，而不是有了它，我们就可以突破浸润式的物镜系统的，更不是单纯为国产光刻机的突破而突破的。

所以少听某些自媒体扯淡，自己都没搞清楚原理，然后就制造各种沸腾体文章，让大家莫名其妙的沸腾，实事求是才是正道。