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国产90nm的光刻机,能生产几纳米的芯片?答案或是22nm
2023-03-15 来源: 只谈数码科技
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关键词:光刻机芯片台积电

在芯片制造的过程中,其它是需要两种光刻机的,一种是前道光刻机,就是将光掩膜板上的电路图,记录到涂了光刻胶的晶圆上的光刻机,因为这是前道工序,所以称之为前道光刻机。

还有一种是后道光刻机,用于芯片后期的封装,在芯片制造过程中,属于后道工序,所以叫后道光刻机。

前道光刻机对光刻机的精度要求非常高,所以会有按精度分的DUV、EUV等光刻机。而后道光刻机虽然重要,但要求不一样,主要是进行2.5D\3D先进封装的光刻机,所以相对要求会低一些,所以当前大家更关注的是前道光刻机。

而前道光刻机方面,自然ASML是老大,毕竟EUV光刻机,只有ASML能够生产,而国内自研的前道光刻机,分辨率显示还是90nm的。

那么问题就来了, 国产90nm的前道光刻机,究竟能够生产几纳米的芯片,是不是就只能是90nm了?

事实上并不是的,在一些晶圆厂的实际测试中,在精度方面,90nm肯定没问题的,同时经过两次曝光,可以得到45nm的芯片,三次曝光最高可以达到22nm左右的水平。

那么有没有可能继续进行第4次曝光,然后就实现了11nm,再进行第5次曝光,然后实现10nm以下呢?理论上可以,但实际不行。


在测试中,进行到第三次曝光时,晶圆的良率已经降低到了一个相当低的值,甚至有时候会低于20%了。如果进行第四次曝光,估计良率会低到离谱,至于第五次、第六次,根本不用想了,良率会接近于0%。

目前像ASML的DUV光刻机,一般最多也只进行两次曝光,很少进行多次曝光,因为会大幅度的降低良率,造成成本上升,这是得不偿失的。

据称,目前国内正在研发28nm精度的光刻机,那么经过2次曝光后,能够达到14nm,然后可以尝试性的进行第三次曝光,然后有可能迈入7nm。

当然,以上只是猜测,因为精度越高的光刻机,多次曝光的难度也就越高了,一切还得看真机的实测才行。

所以,我们还是期待一下国内科技企业能早日攻克EUV光刻机的技术难点,这样才能尽早彻底解决芯片“卡脖子”的问题了,而不是想着多次曝光这种取巧的、以良率换工艺的办法。



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