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中国芯在EDA、设计、封测上均实现了3nm,只等光刻机突破了
2023-03-16 来源:只谈数码科技
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关键词:光刻机中芯国际台积电芯片

近日,国产EDA厂商概伦电子表示,公司研发的关键EDA产品,已经支持7nm/5nm/3nm等先进工艺节点。

这意味着国内目前已经有两家EDA厂商,其EDA产品,支持到了3nm这种最先进的工艺,另外一家是华大九天。

事实上,从现在的情况来看,国产芯在EDA、设计、封测这三个环节均实现了3nm,达到了全球领先水平,现在只有制造卡在14nm了,而制造则主要卡在光刻机上。

先说EDA,前面已经提到过,华大九天、概伦电子的EDA产品,已经实现了3nm,不过这里大家要注意的是,并不是所有的流程环节均实现了3nm,只是部分产品达到了这个工艺。

但是,只要有一个部分达到了3nm工艺,并且被客户使用了,那么后续其它环节达到3nm也就容易了。

再说说设计这一块,这一块应该是国内芯片厂商的强项了,之前倪光南院士也表示,芯片设计能力,我们和世界水平是基本持平的。

目前国内能够设计3nm芯片的厂商,并不少,华为肯定是可以的,这一点不用怀疑,麒麟9000系列是一颗5nm的芯片,而芯片设计企业一般至少要提前2年就设计芯片,意思着在麒麟9000芯片推出时,华为就已经开始着手设计3nm芯片了。

另外去年三星3nm芯片量产时,首批客户就是中国大陆的客户,只是是一些矿机客户,但也说明3nm的设计水平,国内早就达到了。

最后再说一说封测,这一块是中国大陆半导体产业的强项之一,目前国内有4大封测企业排名全球Top10,分别是长电科技、天水华天、通富微电,智路封测。

长电科技、通富微电、天水华天早就表示,自己已经具备了3nm芯片的封测能力,其中像长电科技、通富微电甚至表示,拥有4nm Chiplet的封装能力,完全达到了全球领先水平。

可见,目前国产芯片的短板还是制造,毕竟中国大陆最先进的芯片工艺还是在14nm,与EDA、设计、封测的3nm相比,中间还隔了10nm、7nm、5nm、3nm这么4代,这4代按照正常发展,也得5-10年才行,现在还加上禁令,要追上的时间就未知了,也许10年都不定一达到。

而制造之所以这么落后,关键又是光刻机,国产的分辨率仅90nm,而ASML的EUV,以及先进的浸润式DUV光刻机也不能出售给中国了,所以国产光刻机真的要突破,否则制造就一直就短板,而这个短板,将成为中国芯最关键的制约因素。



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