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国产光刻机不突破,我们EDA、设计、封测达到3nm,都是假的
2023-03-21 来源:只谈数码科技
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关键词:芯片集成电路中芯国际

最近,国产芯片产业链又传出好消息了,那就是有一家国产EDA企业表示,目前公司的EDA产品,已经支持3nm节点了,这确实算是一个大突破了。

再结合之前国产芯片产业链的消息,有网友表示,目前我们的EDA工具已经达到3nm了,还有设计、封测芯片的能力,也都达到3nm了,卡脖子的环节一个一个被攻克,摆脱对外依赖可期。

更有夸张一点的人激动的称,我们马上就要实现全产业链3nm了,再也不怕卡脖子了,只差一步,这一步就是制造了。

说真的,这几年国产芯片产业链的好消息确实不断,各种EDA、封测、设计等等不断突破,还有自研指令集、GPU等等也是不断突破。

但是,我们要认清一个现实,那就是目前国内众多的突破,如果缺少了国产光刻机的突破,那就是假的,是空中楼阁。

为什么这样说?原因在于芯片能力,最遵循短板理论的,其实际的水平取决于最落后的那一块。

这个怎么理解呢?比如芯片的设计、制造、封测这三个环节中,我们的真正能力决于当前最落后的制造能力,目前我们的制造能力是14nm。

而芯片制造过程,需要几十上百种设备,几十上百种材料,而这个真实能力,又取决于这些设备、材料中,最落后的那一环。

目前光刻机应该是我们最落后的那一环了,国产光刻机的分辨率还在90nm,是一台干式DUV光刻机,理论上来讲,能支持的最高工艺应该是65nm左右。也就是说,65nm才是我们真正的芯片能力。

所以就算我们有3nm的EDA、有3nm的芯片设计能力,能封测3nm的芯片,甚至更先进的一点,这些全部达到了1nm工艺,又能如何呢?

只要国产光刻机没有突破,我们的真实能力就是在65nm,那么只要美国愿意,只要针对光刻机一卡,就卡死在65nm了。

所以,没有光刻机的突破,其它的突破,都是假的,因为任何芯片,在设计出来后,最后都要制造,而制造就需要光刻机,没有例外。

当然,话又说回来,有任何突破都是好的,不管是EDA,还是设计,或者是封测,只是我想让大家清楚一个事实,那就是先别自嗨,扎实把基础打牢才是正道。特别是光刻机,必须突破,否则会严重拖后腿。



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