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美国打压中国存储,韩企赢得时间,发布300层堆叠NAND芯片
2023-03-22 来源:只谈数码科技
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关键词:芯片海力士长江存储

众所周知,中国存储芯片厂商长江存储,最全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商,其量产的时间早于美光、三星、SK海力士等。

而基于其232层3D NAND闪存制造的SSD,在性能上已经超过了美光、三星、SK海力士的产品,可以说长江存储,是国内少有的在半导体领域上,超过美国的中国企业。

不过后来的故事,大家也清楚了,技术太先进,把美国吓住了,于是将长江存储拉入了“实体清单”,对一些先进设备进行了限制。

事实上我们很清楚,长江存储能够实现突破,一方面是自己的Xtacking(也称之为“晶栈”)技术很牛,将读、写两块分开了,这属于创新性的架构。

另外一方面,还是依赖了美国的技术,比如美国的KLA Corp. ( KLAC ) 和泛林集团 ( Lam Research Co., LRCX ) 等,就为长江存储的232层工艺提供了设备以及技术支持。

而一被列入“实体清单”后,先进的设备无法购买,原本合作的美国厂商,也暂停了对已安装设备的支持,暂停了新设备的安装调试,还暂时撤出他们在驻厂的员工。

导致长江存储新产品扩产陷入了困境,产能一下子提升不起来。这会造成什么后果,当然是错过通过技术抢占市场的窗口期,而这也是美国的目的。

因为如果中国存储厂商技术先进,产能又不断的提升,那还有美国厂商什么事?当然是要打压下来,然后让中国厂商的产能无法提升,这样无法占领市场,那么当美国厂商技术上来了,就能够占领了市场,那时候就无所谓了,美国打压的就是这个窗口期。

果然,后续来了,近日韩国存储厂商SK海力士第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 上,展示了最新300 层堆叠第8代 3D NAND Flash的原型。

这种存储芯片,堆叠超过 300 层,容量为 1Tb(128GB),具有20Gb/mm² 单位容量,最大数据传输速率将达到 194 MB/s,比上一代高出18%。

而存储密度提升一倍,就意味着成本要大幅度降低,这种芯片一推出,明显会比长江存储232层 3D NAND更有竞争力。

而美光也表示,很快要推出300层以上堆叠的3D NAND闪存芯片,时间预计在今年年底,或明年上半年,至于大规模推出市场,可能会在2024年下半年去了。

很明显,美国打压中国存储芯片的目的,部分实现了,就是想让我们就算研发出新技术,也要错过这个领先的窗口期,从而无法提升市场规模,最终高端市场就还是美系厂商或美国盟友的。



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